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D2601N	文件：255.72 Kbytes Page：9 Pages	Full blocking capability 50/60Hz over a wide temperature range Key Parameters VRRM 9000 V IFAVM 2200 A (TC=100 °C) IFSM 3570A (T 52000 A C=55°C) VT0 0,944 V rT 0,414 mΩ RthJC 7,5 K/kW Clamping Force 36 … 52 kN Max. Diameter 121 mm Contact Diameter 86 mm Height 26 mm Features • Full blocking capability 50/60Hz over a w 文件：255.72 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
D2601N	文件：234.07 Kbytes Page：8 Pages	Rectifier Diode Rectifier Diode 文件：234.07 Kbytes 页数：8 Pages	eupec	eupec
D2601NH	文件：199.22 Kbytes Page：6 Pages	Pulse Power Diode Pulse Power Diode 文件：199.22 Kbytes 页数：6 Pages	eupec	eupec
D2601N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Rectifier Diode	Infineon 英飞凌	Infineon
D2601N90T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Rectifier Diodes \n优势:\n• 可靠性高，可以大幅度地减少维护并减少停机\n• 通过串联和并联的特殊设计，轻松实现系统功率调节;	Infineon 英飞凌	Infineon
D2601NH90T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Rectifier Diodes \n优势:\n \n • 可靠性高，可以大幅度地减少维护并减少停机\n• 通过串联和并联的特殊设计，轻松实现系统功率调节;	Infineon 英飞凌	Infineon
D2601N85TXPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-200AE；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 8.5KV 3040A	Infineon 英飞凌	Infineon
D2601N90TXPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-200AE；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 9KV 3040A	Infineon 英飞凌	Infineon
D2601NH90TXPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-200AE；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 9KV 1790A	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

IFAVM/TC[A/°C] @180° el sin：
2240/100
Housing：
Disc dia 120mm height 26mm / Ceramic
Configuration：
Rectifier Diodes
VF/IF[V/kA] @Tvj max：
2.6/4.0
VT0[V] @Tvj max max：
0.94
rT[mΩ] @Tvj max max：
0.41
Tvj[°C] max：
160
RthJC[K/kW] @180° el sin max：
8.55
Clamping force[kn] min：
36
Clamping force[kn] max：
52

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多D2601N供应商更新时间2025-12-14 11:03:00

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