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D22029LV	文件：1.41952 Mbytes Page：10 Pages	General Specifications 文件：1.41952 Mbytes 页数：10 Pages	NKK 恩楷楷	NKK
D22029P	文件：1.41952 Mbytes Page：10 Pages	General Specifications 文件：1.41952 Mbytes 页数：10 Pages	NKK 恩楷楷	NKK
D22029V	文件：1.41952 Mbytes Page：10 Pages	General Specifications 文件：1.41952 Mbytes 页数：10 Pages	NKK 恩楷楷	NKK
D2202UK	文件：15.59 Kbytes Page：2 Pages	METAL GATE RF SILICON FET 文件：15.59 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
D2203	文件：16.46 Kbytes Page：2 Pages	METAL GATE RF SILICON FET 文件：16.46 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
D2203UK	文件：16.46 Kbytes Page：2 Pages	METAL GATE RF SILICON FET 文件：16.46 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
D2204	文件：138.27 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type 文件：138.27 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
D22042B	文件：1.41952 Mbytes Page：10 Pages	General Specifications 文件：1.41952 Mbytes 页数：10 Pages	NKK 恩楷楷	NKK
D22042H	文件：1.41952 Mbytes Page：10 Pages	General Specifications 文件：1.41952 Mbytes 页数：10 Pages	NKK 恩楷楷	NKK
D22042LB	文件：1.41952 Mbytes Page：10 Pages	General Specifications 文件：1.41952 Mbytes 页数：10 Pages	NKK 恩楷楷	NKK

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晶体管资料

型号：
D2229C
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
射频/高频放大（HF）_宽频带放大（A）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.8W
放大倍数：
图片代号：
B-77
vtest：
200
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.8

技术参数

IFAVM/TC[A/°C] @180° el sin：
2200/100
Housing：
Disc dia 74mm height 26mm / Ceramic
Configuration：
Rectifier Diodes
VF/IF[V/kA] @Tvj max：
1.17/2.5
VT0[V] @Tvj max max：
0.83
rT[mΩ] @Tvj max max：
0.15
Tvj[°C] max：
160
RthJC[K/kW] @180° el sin max：
17
Clamping force[kn] min：
24
Clamping force[kn] max：
60

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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