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D2001UK	文件：47.45 Kbytes Page：4 Pages	METAL GATE RF SILICON FET GOLDMETALLISEDMULTI-PURPOSESILICONDMOSRFFET2.5W–28V–1GHzSINGLEENDED FEATURES •SIMPLIFIEDAMPLIFIERDESIGN •SUITABLEFORBROADBANDAPPLICATIONS •LOWCrss •SIMPLEBIASCIRCUITS •LOWNOISE •HIGHGAIN–13dBMINIMUM APPLICATIONS •VHF/UHFCOMMUNICATIONSfrom50MHzto2G	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
DG2001	文件：63.9 Kbytes Page：8 Pages	LOW-VOLTAGESINGLESPDTANALOGSWITCH DESCRIPTION TheDG2001isasingle-pole/double-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,highspeed,lowon-resistanceandsmallphysicalsize,theDG2001isidealforportableandbatterypoweredapplicationsrequiringhig	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2001	文件：215.11 Kbytes Page：13 Pages	Low-VoltageSingleSPDTAnalogSwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2001E	文件：216.97 Kbytes Page：12 Pages	Powered-offProtection,0.85??1.8Vto5.5V,SPDTAnalogSwitch(2:1Multiplexer)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DP2001	文件：72.35 Kbytes Page：5 Pages	120...195WattDC-DCConverters 120...195WattDC-DCConverters Inputvoltageupto150VDC1to4isolatedoutputs3.3...96VDC4242VDCI/Oelectricstrengthtestvoltage •Extremelyslimcase(4TE),fullyenclosed •Extremelylowinrushcurrent,hotswappable •Operatingambienttemperaturerange –40..	POWER-ONE Power-One	POWER-ONE
DS2001	文件：317.34 Kbytes Page：5 Pages	HIGHCURRENT/VOLTAGEDARLINGTONDRIVERS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DS2001CJ	文件：317.34 Kbytes Page：5 Pages	HIGHCURRENT/VOLTAGEDARLINGTONDRIVERS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DS2001CM	文件：317.34 Kbytes Page：5 Pages	HIGHCURRENT/VOLTAGEDARLINGTONDRIVERS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DS2001CN	文件：317.34 Kbytes Page：5 Pages	HIGHCURRENT/VOLTAGEDARLINGTONDRIVERS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DS2001MJ	文件：317.34 Kbytes Page：5 Pages	HIGHCURRENT/VOLTAGEDARLINGTONDRIVERS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

详细参数

型号：
D2001UK
制造商：
TT Electronics/Semelab
功能描述：
RF POWER TRANSISTOR MOSFET

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