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D1481N	文件：245.11 Kbytes Page：9 Pages	Full blocking capability 50/60Hz over a wide temperature range Key Parameters VRRM 6800 V IFAVM 1590 A (TC=100 °C) IFSM 3570A (T 28000 A C=55°C) VT0 0,75 V rT 0,42 mΩ RthJC 14 K/kW Clamping Force 15 … 36 kN Max. Diameter 76 mm Contact Diameter 50 mm Height 26 mm Features • Full blocking capability 50/60Hz over a wide 文件：245.11 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
D1481N	文件：217.66 Kbytes Page：8 Pages	Rectifier Diode Rectifier Diode 文件：217.66 Kbytes 页数：8 Pages	EUPEC	EUPEC
D1481N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Rectifier Diode	Infineon 英飞凌	Infineon
D1481N68TVF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Rectifier Diodes \n优势:\n• 可靠性高，可以大幅度地减少维护并减少停机\n• 通过串联和并联的特殊设计，轻松实现系统功率调节;	Infineon 英飞凌	Infineon
D1481N58T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-200AC，K-PUK；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 5.8KV 2200A	INFINEON 英飞凌	INFINEON
D1481N60TXPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-200AC，K-PUK；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 6KV 2200A	INFINEON 英飞凌	INFINEON
D1481N60TXPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-200AC，K-PUK；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 6KV 2200A	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

IFAVM/TC[A/°C] @180° el sin：
1650/100
Housing：
Disc dia 75mm height 26mm / Ceramic
Configuration：
Rectifier Diodes
VF/IF[V/kA] @Tvj max：
1.8/2.5
VT0[V] @Tvj max max：
0.75
rT[mΩ] @Tvj max max：
0.42
Tvj[°C] max：
160
RthJC[K/kW] @180° el sin max：
15.8
Clamping force[kn] min：
15
Clamping force[kn] max：
36

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