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D1230N	文件：229.31 Kbytes Page：8 Pages	Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Rectifiers Rectifier Diode 1230A 1800V 文件：229.31 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
D1230N14T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Rectifier Diodes \n优势:\n• 可靠性高，可以大幅度地减少维护并减少停机\n• 通过串联和并联的特殊设计，轻松实现系统功率调节;	Infineon 英飞凌	Infineon
D1230N16T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Rectifier Diodes \n• 可靠性高，可以大幅度地减少维护并减少停机\n• 通过串联和并联的特殊设计，轻松实现系统功率调节;	Infineon 英飞凌	Infineon
D1230N18T	文件：300 bytes Page：1 Pages	二极管盘 D1230N 整流二极管圆盘组装在高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳中，直径为 48 毫米，高度为 14 毫米。 • 完全阻断能力 50/60 Hz\n• 高直流阻断稳定性\n• 高浪涌电流能力\n• 密封陶瓷封装\n• 高外壳不断裂电流;	Infineon 英飞凌	Infineon
D1230N14TXPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-200AA，A-PUK；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 1.4KV 1230A	Infineon 英飞凌	Infineon
D1230N16TXPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-200AA，A-PUK；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 1.6KV 1230A	Infineon 英飞凌	Infineon
D1230N18TXPSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-200AA，A-PUK；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 1.8KV 1230A	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

IFAVM/TC[A/°C] @180° el sin：
1234/100
Housing：
Disc dia 48mm height 14mm / Ceramic
Configuration：
Rectifier Diodes
VF/IF[V/kA] @Tvj max：
1.77/3.2
VT0[V] @Tvj max max：
0.81
rT[mΩ] @Tvj max max：
0.28
Tvj[°C] max：
180
RthJC[K/kW] @180° el sin max：
39
Clamping force[kn] min：
6
Clamping force[kn] max：
15

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