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D1131SH

Full blocking capability 50/60Hz over a wide temperature range

文件:291.14 Kbytes 页数:11 Pages

Infineon

英飞凌

D1131SH

Fast Hard Drive Diod e

文件:218.6 Kbytes 页数:10 Pages

eupec

D1131SH

Fast Hard Drive Diod e

Infineon

英飞凌

D1131SH65T

二极管盘

D1131SH IGCT 二极管盘组装在高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳中,直径为 120 毫米,高度为 26 毫米。 • 完全阻断能力 50/60 Hz\n• 高直流阻断稳定性\n• 高浪涌电流能力\n• 高外壳不断裂电流\n• 软关断行为;

Infineon

英飞凌

D1131SH65TXPSA1

Package:DO-200AE;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 6.5KV 1100A

Infineon

英飞凌

技术参数

  • IFAVM/TC [A/°C](@180° el sin):

    1100/85

  • rT [mΩ](@Tvj max) max:

    1.364

  • RthJC [K/kW](@DC) max:

    7.5

  • Tvj [°C]max:

    140

  • VF/IF [V/kA](@Tvj max):

    4

  • VR(D) [kV](@TC = 25°):

    3.2

  • VRRM [V]:

    6500

  • VRRMmax:

    6500 V

  • VT0 [V](@Tvj max) max:

    2.19

  • Clamping force [kn]:

    36 to 52

  • Housing:

    Disc dia 120mm height 26mm / Ceramic

  • Configuration:

    IGCT/IGBT - Freewheeling Diodes

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更多D1131SH供应商 更新时间2025-10-6 22:51:00