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D110N04E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Super trench MOSFET	Jingheng 晶恒	Jingheng
HMS110N04D	文件：587.87 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：587.87 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
NP110N04PDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP110N04PDG	文件：344.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：344.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Ch：
N
Vds(V)：
40
Id(A)：
110
Pd(W)：
120
Vgs(MAX)(V)：
±20
Vth(Min)(V)：
1.0
Vth(Max)(V)：
2.0
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
0.0055
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：
0.0042
Qg(typ)(nc)@10V：
52
Ciss(typ)(pF)：
2289
OUTLINE：
TO-262

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	D110N04M	NK/南科功率	2025+	TO-252	986966	国产	询价
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更多D110N04E供应商更新时间2025-12-25 10:01:00

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