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D1030

SIL 2 Switch/Proximity Detector Repeater Relay Output DIN-Rail Models D1030S, D1030D

Features SIL 2 according to to IEC 61508:2010 (Route 2H) with Tproof = 5 / 10 years (≤10 / >10 of total SIF). SC2: Systematic Capability SIL2. Input from Zone 0 (Zone 20), Division 1, installation in Zone 2, Division 2. NO/NC contact/proximity Detector Input. Two SPDT Relay Outpu

文件:297.39 Kbytes 页数:2 Pages

GMI

D1030N

Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode

文件:235.03 Kbytes 页数:8 Pages

Infineon

英飞凌

D1030UK

GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 400W - 28V - 175MHz PUSH-PULL

文件:18.54 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

Seme LAB

D1030N22T

Rectifier Diodes

\n优势:\n• 可靠性高,可以大幅度地减少维护并减少停机\n• 通过串联和并联的特殊设计,轻松实现系统功率调节;

Infineon

英飞凌

D1030N26T

关于片式整流二极管

\n优势:\n• 可靠性高,可以大幅度地减少维护并减少停机\n• 通过串联和并联的特殊设计,轻松实现系统功率调节;

Infineon

英飞凌

D1030UK

Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET

•Simplified amplifier design\n• Suitable for broad band applications\n• Low C(rss)\n• Simple bias cicuits\n• Low noise\n• High gain - 13 dB minimum;

TT Electronics

D1030N22TXPSA1

Package:DO-200AB,B-PUK;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 2.2KV 1030A

Infineon

英飞凌

D1030N24TXPSA1

Package:DO-200AB,B-PUK;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 2.4KV 1030A

Infineon

英飞凌

D1030N26TXPSA1

Package:DO-200AB,B-PUK;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 2.6KV 1030A

Infineon

英飞凌

技术参数

  • IFAVM/TC[A/°C] @180° el sin:

    1030/100

  • Housing:

    Disc dia 58mm height 26mm / Ceramic

  • Configuration:

    Rectifier Diodes

  • VF/IF[V/kA] @Tvj max:

    2.05/4.0

  • VT0[V] @Tvj max max:

    0.82

  • rT[mΩ] @Tvj max max:

    0.28

  • Tvj[°C] max:

    160

  • RthJC[K/kW] @180° el sin max:

    38

  • Clamping force[kn] min:

    10

  • Clamping force[kn] max:

    24

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更多D1030供应商 更新时间2025-10-11 16:06:00