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D1030 | SIL 2 Switch/Proximity Detector Repeater Relay Output DIN-Rail Models D1030S, D1030D Features SIL 2 according to to IEC 61508:2010 (Route 2H) with Tproof = 5 / 10 years (≤10 / >10 of total SIF). SC2: Systematic Capability SIL2. Input from Zone 0 (Zone 20), Division 1, installation in Zone 2, Division 2. NO/NC contact/proximity Detector Input. Two SPDT Relay Outpu 文件:297.39 Kbytes 页数:2 Pages | GMI | GMI | |
Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 文件:235.03 Kbytes 页数:8 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 400W - 28V - 175MHz PUSH-PULL 文件:18.54 Kbytes 页数:2 Pages | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
Rectifier Diodes \n优势:\n• 可靠性高,可以大幅度地减少维护并减少停机\n• 通过串联和并联的特殊设计,轻松实现系统功率调节; | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
关于片式整流二极管 \n优势:\n• 可靠性高,可以大幅度地减少维护并减少停机\n• 通过串联和并联的特殊设计,轻松实现系统功率调节; | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET •Simplified amplifier design\n• Suitable for broad band applications\n• Low C(rss)\n• Simple bias cicuits\n• Low noise\n• High gain - 13 dB minimum; | TT Electronics | TT Electronics | ||
Package:DO-200AB,B-PUK;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 2.2KV 1030A | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Package:DO-200AB,B-PUK;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 2.4KV 1030A | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Package:DO-200AB,B-PUK;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 2.6KV 1030A | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- IFAVM/TC[A/°C] @180° el sin:
1030/100
- Housing:
Disc dia 58mm height 26mm / Ceramic
- Configuration:
Rectifier Diodes
- VF/IF[V/kA] @Tvj max:
2.05/4.0
- VT0[V] @Tvj max max:
0.82
- rT[mΩ] @Tvj max max:
0.28
- Tvj[°C] max:
160
- RthJC[K/kW] @180° el sin max:
38
- Clamping force[kn] min:
10
- Clamping force[kn] max:
24
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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