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FMB5551	文件：29.23 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifierSuperSOT-6SurfaceMountPackage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FMBM5551	文件：162.2 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMBM5551	文件：250.86 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneral-PurposeAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FMBS5551	文件：90.45 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMBT5551	文件：409.24 Kbytes Page：8 Pages	600mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor 600mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage. (BVCEO=140V~160V@IC=1mA) •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposehighvoltage amplifiersandgasdischargedisplaydriving •Epitaxialplanardieconstruction •ComplememntaryPN	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMMT5551	文件：30.79 Kbytes Page：1 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTORS PARTMARKINGDETAILS-FMMT5550-1FZ FMMT5551-ZG1 COMPLEMENTARYTYPES-FMMT5550-FMMT5400 FMMT5551-FMMT5401	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
GES5551	文件：41.31 Kbytes Page：2 Pages	SILICONTRANSISTORS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
GES5551	文件：117.77 Kbytes Page：2 Pages	SiliconTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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技术参数

PCM(W)：
1
IC(A)：
0.6
VCBO(V)：
180
VCEO(V)：
160
VEBO(V)：
6
hFE/Min：
80
hFE/Max：
250
hFE@VCE(V)：
5
hFE@IC(A)：
0.01
VCE/sat(V)：
0.2
VCE/sat@IC(A)：
0.05
VCE/sat@IB(A)：
0.005
PACKAGE：
SOT-223

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CZT5551-C供应商更新时间2025-7-28 14:02:00

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