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CZT31C	文件：602.72 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT31CandCZT32Ctypesaresurfacemountepoxymoldedcomplementarysilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforsurfacemountedpoweramplifierapplicationsupto3.0amps. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
CZT31C	文件：1.76426 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ComplementarytoCZT32C Poweramplifierapplicationsupto3.0amps.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
CZT31C	文件：329.48 Kbytes Page：2 Pages	3A, 100V P Silicon Medium Power Transistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
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CZT31C_15	文件：602.72 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
CZT31C-C	文件：251.2 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Medium Power Transistor	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
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详细参数

型号：
CZT31C
功能描述：
两极晶体管 - BJT Bipolar Power Transistor NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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