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CZT31C	文件：1.76426 Mbytes Page：4 Pages	丝印：CZT31C；Package：SOT-223；SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complementary to CZT32C Power amplifier applications up to 3.0 amps. 文件：1.76426 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
CZT31C-C	文件：251.2 Kbytes Page：2 Pages	丝印：CZT31C；Package：SOT-223；NPN Silicon Medium Power Transistor 文件：251.2 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
CZT31C	文件：602.72 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT31C and CZT32C types are surface mount epoxy molded complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial base process, designed for surface mounted power amplifier applications up to 3.0 amps. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：602.72 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CZT31C	文件：602.72 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：602.72 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CZT31C	文件：105.32 Kbytes Page：2 Pages	2.0W COMPLEMENTARY SILICON 文件：105.32 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CZT31C	文件：329.48 Kbytes Page：2 Pages	3A, 100V P Silicon Medium Power Transistor 文件：329.48 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
CZT31C_15	文件：602.72 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：602.72 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CZT31CNPN	文件：105.32 Kbytes Page：2 Pages	2.0W COMPLEMENTARY SILICON 文件：105.32 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CZT31C	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
CZT31C-C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Medium Power Transistor	Secos 喜可士	Secos

技术参数

PCM(W)：
1
IC(A)：
3
VCBO(V)：
100
VCEO(V)：
100
VEBO(V)：
5
hFEMin：
10
hFEMax：
100
hFE@VCE(V)：
4
hFE@IC(A)：
3
VCE(sat)(V)：
1.2
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
3
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.375
Package：
SOT-223

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更多CZT31C供应商更新时间2025-10-8 14:14:00

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