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CY7S1061GE	文件：1.97177 Mbytes Page：23 Pages	16-Mbit (1 M words 횞 16 bit) Static RAM with PowerSnooze??and ECC 文件：1.97177 Mbytes 页数：23 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7S1061GE-10ZXI	文件：1.97177 Mbytes Page：23 Pages	16-Mbit (1 M words 횞 16 bit) Static RAM with PowerSnooze??and ECC 文件：1.97177 Mbytes 页数：23 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
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CY7S1061GE30-10BVXI	文件：1.97177 Mbytes Page：23 Pages	16-Mbit (1 M words 횞 16 bit) Static RAM with PowerSnooze??and ECC 文件：1.97177 Mbytes 页数：23 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7S1061GE30-10BVXIT	文件：1.97177 Mbytes Page：23 Pages	16-Mbit (1 M words 횞 16 bit) Static RAM with PowerSnooze??and ECC 文件：1.97177 Mbytes 页数：23 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7S1061GE30-10ZXI	文件：1.97177 Mbytes Page：23 Pages	16-Mbit (1 M words 횞 16 bit) Static RAM with PowerSnooze??and ECC 文件：1.97177 Mbytes 页数：23 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
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CY7S1061GE30-10BVM	文件：300 bytes Page：1 Pages	我们的异步快速 SRAM 是业界最快的并行异步 SRAM 解决方案，最快访问时间为 10 ns。英飞凌的 SRAM 解决方案提供长期支持承诺，为我们的客户提供保证，他们将在较长时间内继续获得其产品的支持和维护。我们的异步 SRAM 通常用作缓存和缓冲存储器应用的扩展存储器，其低功耗和高速性能使其成为国防应用的理想选择。 • 16 Mbit 密度\n• 1M 字 x 16 位组织\n• 10ns 访问速度\n• 强力贪睡™ \n• 嵌入式纠错码 (ECC)\n• 用于单位错误校正\n• -55°C 至 125°C\n• 48球VFBGA;	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7S1061GE-10ZXIT	文件：300 bytes Page：1 Pages	异步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7S1061GE30-10BVXI	文件：300 bytes Page：1 Pages	异步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

密度 (Kb)：
16384
频率 (MHz)：
无
最高工作温度 (°C)：
85
Max. Operating VCCQ (V)：
5.50
最高工作电压 (V)：
5.50
最低工作温度 (°C)：
-40
Min. Operating VCCQ (V)：
4.50
最低工作电压 (V)：
4.50
组织 (X x Y)：
1M x 16
Part Family：
Async SRAM with ECC
速率 (ns)：
10
Tape & Reel：
否
温度分类：
工业

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