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CY7S1061GE-10ZXI	文件：1.97177 Mbytes Page：23 Pages	16-Mbit (1 M words 횞 16 bit) Static RAM with PowerSnooze??and ECC 文件：1.97177 Mbytes 页数：23 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7S1061GE-10ZXIT	文件：1.97177 Mbytes Page：23 Pages	16-Mbit (1 M words 횞 16 bit) Static RAM with PowerSnooze??and ECC 文件：1.97177 Mbytes 页数：23 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7S1061GE30-10BVXI	文件：1.97177 Mbytes Page：23 Pages	16-Mbit (1 M words 횞 16 bit) Static RAM with PowerSnooze??and ECC 文件：1.97177 Mbytes 页数：23 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7S1061GE30-10BVXIT	文件：1.97177 Mbytes Page：23 Pages	16-Mbit (1 M words 횞 16 bit) Static RAM with PowerSnooze??and ECC 文件：1.97177 Mbytes 页数：23 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
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CY7S1061G	文件：300 bytes Page：1 Pages	16-Mbit (1 M words × 16 bit) Static RAM with PowerSnooze™ and ECC	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7S1061G18-15ZSXIT	文件：300 bytes Page：1 Pages	异步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7S1061G30-10BVXI	文件：300 bytes Page：1 Pages	异步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7S1061G18-15ZSXIT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：散装类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS

技术参数

Peak Reflow Temp：
260 °C
Operating Temperature：
-40 °C to 85 °C
Operating Voltage(VCCQ)：
1.65 V to 2.2 V
Operating Voltage：
1.65 V to 2.2 V
Lead Ball Finish：
Pure Sn
Interfaces：
Parallel
Family：
FAST SRAM
Organization (X x Y)：
1M x 16
Qualification：
Industrial
Speed：
15 ns

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千层芯半导体(深圳)有限公司	CY7S1061G30-10ZSXI	CypressSemiconductor	24+	SMD	15600	静态随机存取存储器4Mb10ns3.3V512Kx8FastAsync静态随	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	CY7S1061GE30-10BVXI	Cypress Semiconductor Corp	21+	165-TBGA	5280	进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营	询价
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