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CY7C2670KV18

144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C2670KV18

144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT;

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

CY7C2670KV18-450BZI

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY7C2670KV18-550BZI

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY7C2670KV18-550BZXI

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

详细参数

  • 型号:

    CY7C2670KV18

  • 功能描述:

    静态随机存取存储器 CY7C2670KV18-450BZI

  • RoHS:

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量:

    16 Mbit

  • 组织:

    1 M x 16

  • 访问时间:

    55 ns

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.2 V

  • 最大工作电流:

    22 uA

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    TSOP-48

  • 封装:

    Tray

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多CY7C2670KV18供应商 更新时间2025-7-28 14:58:00