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CY7C2644KV18	文件：840.82 Kbytes Page：30 Pages	144-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) with ODT 文件：840.82 Kbytes 页数：30 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C2644KV18-300BZXI	文件：885.8 Kbytes Page：30 Pages	144-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) with ODT 文件：885.8 Kbytes 页数：30 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C2644KV18-333BZI	文件：885.8 Kbytes Page：30 Pages	144-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) with ODT 文件：885.8 Kbytes 页数：30 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C2644KV18-333BZI	文件：300 bytes Page：1 Pages	同步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C2644KV18-333BZXI	文件：300 bytes Page：1 Pages	Synchronous SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

合格汽车：
否
突发长度（字）：
2
密度 (Kb)：
147456
Density (Mb)：
144
频率 (MHz)：
300
最高工作温度 (°C)：
85
Max. Operating VCCQ (V)：
1.90
最高工作电压 (V)：
1.90
最低工作温度 (°C)：
-40
Min. Operating VCCQ (V)：
1.40
最低工作电压 (V)：
1.70
组织 (X x Y)：
4Mb x 36
Part Family：
QDR-II+
Tape & Reel：
否
温度分类：
工业

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