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CY7C2570XV18	文件：908.85 Kbytes Page：29 Pages	72-Mbit DDR II Xtreme SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT 文件：908.85 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C2570XV18-633BZXC	文件：883.91 Kbytes Page：29 Pages	72-Mbit DDR II Xtreme SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT 文件：883.91 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C2570XV18-600BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	同步 SRAM \n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C2570XV18-633BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C2570XV18-600BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA	Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp
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技术参数

Density：
72 MBit
Peak Reflow Temp：
260 °C
Operating Temperature：
0 °C to 70 °C
Operating Voltage：
1.7 V to 1.9 V
Lead Ball Finish：
Sn/Ag/Cu
Interfaces：
Parallel
Data Width：
x 36
Architecture：
DDR-II+ Xtreme
On-Die Termination：
Y
Family：
QDR-II+ Xtreme
Organization (X x Y)：
2Mb x 36
Burst Length(Words)：
2
Qualification：
Commercial
Read Latency (Cycles)：
2.5
Bank Switching：
N
Frequency：
633 MHz

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