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CY7C2565KV18	文件：845.88 Kbytes Page：29 Pages	72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：845.88 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C2565KV18-400BZC	文件：845.88 Kbytes Page：29 Pages	72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：845.88 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C2565KV18-400BZI	文件：845.88 Kbytes Page：29 Pages	72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：845.88 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C2565KV18-400BZXC	文件：845.88 Kbytes Page：29 Pages	72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：845.88 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C2565KV18-400BZXI	文件：845.88 Kbytes Page：29 Pages	72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：845.88 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C2565KV18-450BZC	文件：845.88 Kbytes Page：29 Pages	72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：845.88 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C2565KV18-450BZI	文件：845.88 Kbytes Page：29 Pages	72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：845.88 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C2565KV18-450BZXI	文件：845.88 Kbytes Page：29 Pages	72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：845.88 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C2565KV18-500BZC	文件：845.88 Kbytes Page：29 Pages	72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：845.88 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，QDR II+
存储容量：
72Mb （2M x 36）
时钟频率：
400MHz
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
165-LBGA
供应商器件封装：
165-FBGA（13x15）

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