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CY7C25652KV18-400BZC	文件：496.32 Kbytes Page：31 Pages	72-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT Functional Description The CY7C25632KV18 and CY7C25652KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II+ architecture. Similar to QDR II architecture, QDR II+ architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has 文件：496.32 Kbytes 页数：31 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C25652KV18-400BZI	文件：496.32 Kbytes Page：31 Pages	72-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT Functional Description The CY7C25632KV18 and CY7C25652KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II+ architecture. Similar to QDR II architecture, QDR II+ architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has 文件：496.32 Kbytes 页数：31 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C25652KV18-400BZXC	文件：496.32 Kbytes Page：31 Pages	72-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT Functional Description The CY7C25632KV18 and CY7C25652KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II+ architecture. Similar to QDR II architecture, QDR II+ architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has 文件：496.32 Kbytes 页数：31 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C25652KV18-400BZXI	文件：496.32 Kbytes Page：31 Pages	72-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT Functional Description The CY7C25632KV18 and CY7C25652KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II+ architecture. Similar to QDR II architecture, QDR II+ architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has 文件：496.32 Kbytes 页数：31 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C25652KV18-400BZC	文件：496.67 Kbytes Page：31 Pages	72-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT 文件：496.67 Kbytes 页数：31 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C25652KV18-400BZI	文件：300 bytes Page：1 Pages	同步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C25652KV18-400BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	Synchronous SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
CY7C25652KV18-400BZI
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，QDR II+
存储容量：
72Mb（2M x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
165-LBGA
供应商器件封装：
165-FBGA（13x15）
描述：
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA

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