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CY7C2563XV18-633BZXC	文件：614.89 Kbytes Page：29 Pages	72-Mbit QDR짰 II Xtreme SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT FunctionalDescription TheCY7C2563XV18andCY7C2565XV18are1.8VSynchronousPipelinedSRAMs,equippedwithQDRII+architecture.SimilartoQDRIIarchitecture,QDRII+architectureconsistsoftwoseparateports:thereadportandthewriteporttoaccessthememoryarray.Thereadporthasd	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C2563XV18-633BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA	Cypress Semiconductor Corp Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp
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72-Mbit QDR짰 II Xtreme SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

FunctionalDescription TheCY7C2563XV18andCY7C2565XV18are1.8VSynchronousPipelinedSRAMs,equippedwithQDRII+architecture.SimilartoQDRIIarchitecture,QDRII+architectureconsistsoftwoseparateports:thereadportandthewriteporttoaccessthememoryarray.Thereadporthasd

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Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

CY7C2563XV18-633BZC

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72-MbitQDR짰IIXtremeSRAMFour-WordBurstArchitecture(2.5CycleReadLatency)withODT

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Cypress

产品属性

产品编号：
CY7C2563XV18-633BZXC
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，QDR II+
存储容量：
72Mb（4M x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
165-LBGA
供应商器件封装：
165-FBGA（13x15）
描述：
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA

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