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CY7C25632KV18	文件：496.32 Kbytes Page：31 Pages	72-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT FunctionalDescription TheCY7C25632KV18andCY7C25652KV18are1.8VSynchronousPipelinedSRAMs,equippedwithQDRII+architecture.SimilartoQDRIIarchitecture,QDRII+architectureconsistsoftwoseparateports:thereadportandthewriteporttoaccessthememoryarray.Thereadporthas	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C25632KV18-500BZC	文件：496.32 Kbytes Page：31 Pages	72-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT FunctionalDescription TheCY7C25632KV18andCY7C25652KV18are1.8VSynchronousPipelinedSRAMs,equippedwithQDRII+architecture.SimilartoQDRIIarchitecture,QDRII+architectureconsistsoftwoseparateports:thereadportandthewriteporttoaccessthememoryarray.Thereadporthas	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C25632KV18-550BZC	文件：496.32 Kbytes Page：31 Pages	72-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT FunctionalDescription TheCY7C25632KV18andCY7C25652KV18are1.8VSynchronousPipelinedSRAMs,equippedwithQDRII+architecture.SimilartoQDRIIarchitecture,QDRII+architectureconsistsoftwoseparateports:thereadportandthewriteporttoaccessthememoryarray.Thereadporthas	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C25632KV18_13	文件：496.67 Kbytes Page：31 Pages	72-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C25632KV18-400BZC	文件：496.67 Kbytes Page：31 Pages	72-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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详细参数

型号：
CY7C25632KV18
功能描述：
静态随机存取存储器 72MB(4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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更多CY7C25632KV18供应商更新时间2024-6-9 8:22:00

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