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CY7C25422KV18	文件：751.97 Kbytes Page：28 Pages	72-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) with ODT	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C25422KV18	文件：300 bytes Page：1 Pages	72-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) with ODT;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
CY7C25422KV18-333BZXC	文件：751.97 Kbytes Page：28 Pages	72-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) with ODT	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C25422KV18-333BZXI	文件：751.97 Kbytes Page：28 Pages	72-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) with ODT	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C25422KV18-333BZXI	文件：300 bytes Page：1 Pages	Synchronous SRAM;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
CY7C25422KV18-333BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA	Cypress Semiconductor Corp Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp
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技术参数

合格汽车：
否
突发长度（字）：
2
密度 (Kb)：
73728
Density (Mb)：
72
频率 (MHz)：
333
最高工作温度 (°C)：
85
Max. Operating VCCQ (V)：
1.90
最高工作电压 (V)：
1.90
最低工作温度 (°C)：
-40
Min. Operating VCCQ (V)：
1.40
最低工作电压 (V)：
1.70
组织 (X x Y)：
4Mb x 18
Part Family：
QDR-II+
Tape & Reel：
否
温度分类：
商用

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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