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CY7C2263KV18

36-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

文件:910.21 Kbytes 页数:32 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C2263KV18-450BZXI

36-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

文件:910.21 Kbytes 页数:32 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C2263KV18-550BZXC

36-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

文件:910.21 Kbytes 页数:32 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C2263KV18-550BZXI

36-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

文件:910.21 Kbytes 页数:32 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C2263KV18-450BZXI

Synchronous SRAM

Infineon

英飞凌

CY7C2263KV18-550BZXC

同步 SRAM

Infineon

英飞凌

CY7C2263KV18-450BZXI

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY7C2263KV18-550BZXC

Package:165-LBGA;包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY7C2263KV18-550BZXI

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

技术参数

  • 合格汽车:

  • 突发长度(字):

    4

  • 密度 (Kb):

    36864

  • Density (Mb):

    36

  • 频率 (MHz):

    450

  • 最高工作温度 (°C):

    85

  • Max. Operating VCCQ (V):

    1.90

  • 最高工作电压 (V):

    1.90

  • 最低工作温度 (°C):

    -40

  • Min. Operating VCCQ (V):

    1.40

  • 最低工作电压 (V):

    1.70

  • 组织 (X x Y):

    2Mb x 18

  • Part Family:

    QDR-II+

  • Tape & Reel:

  • 温度分类:

    工业

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Cypress
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更多CY7C2263KV18供应商 更新时间2025-10-7 10:20:00