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CY7C2170KV18	文件：879.91 Kbytes Page：29 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT Functional Description The CY7C2168KV18, and CY7C2170KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs equipped with DDR II+ architecture. The DDR II+ consists of an SRAM core with advanced synchronous peripheral circuitry. Addresses for read and write are latched on alternate rising edges of the inpu 文件：879.91 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C2170KV18-400BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C2170KV18-550BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C2170KV18-400BZC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C2170KV18-400BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C2170KV18-550BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

Density：
18 MBit
Peak Reflow Temp：
260 °C
Operating Temperature：
0 °C to 70 °C
Operating Voltage：
1.7 V to 1.9 V
Lead Ball Finish：
Sn/Ag/Cu
Interfaces：
Parallel
Data Width：
x 36
Architecture：
DDR-II+ CIO
On-Die Termination：
Y
Family：
DDR-II+ CIO
Organization (X x Y)：
512Kb x 36
Burst Length(Words)：
2
Qualification：
Commercial
Read Latency (Cycles)：
2.5
Bank Switching：
N
Frequency：
400 MHz

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	CY7C2170KV18-400BZXC	Cypress	23+	165-FBGA(13x15)	71890	专业分销产品!原装正品!价格优势!	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	CY7C2170KV18-400BZC	Cypress Semiconductor Corp	21+	165-LBGA	5280	进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	CY7C2170KV18550BZXC	Cypress	22+	165FBGA (13x15)	9000	原厂渠道,现货配单	询价

更多CY7C2170KV18供应商更新时间2025-12-4 16:31:00

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