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CY7C199CNL-15VC	文件：609.7 Kbytes Page：14 Pages	256K (32K x 8) Static RAM General Description [1] The CY7C199CN is a high performance CMOS Asynchronous SRAM organized as 32K by 8 bits that supports an asynchronous memory interface. The device features an automatic power down feature that reduces power consumption when deselected. Features • Fast access time: 12 ns, 1 文件：609.7 Kbytes 页数：14 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C199CNL-15VXC	文件：609.7 Kbytes Page：14 Pages	256K (32K x 8) Static RAM General Description [1] The CY7C199CN is a high performance CMOS Asynchronous SRAM organized as 32K by 8 bits that supports an asynchronous memory interface. The device features an automatic power down feature that reduces power consumption when deselected. Features • Fast access time: 12 ns, 1 文件：609.7 Kbytes 页数：14 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C199CNL-15VXI	文件：609.7 Kbytes Page：14 Pages	256K (32K x 8) Static RAM General Description [1] The CY7C199CN is a high performance CMOS Asynchronous SRAM organized as 32K by 8 bits that supports an asynchronous memory interface. The device features an automatic power down feature that reduces power consumption when deselected. Features • Fast access time: 12 ns, 1 文件：609.7 Kbytes 页数：14 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C199CNL-15ZXC	文件：609.7 Kbytes Page：14 Pages	256K (32K x 8) Static RAM General Description [1] The CY7C199CN is a high performance CMOS Asynchronous SRAM organized as 32K by 8 bits that supports an asynchronous memory interface. The device features an automatic power down feature that reduces power consumption when deselected. Features • Fast access time: 12 ns, 1 文件：609.7 Kbytes 页数：14 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C199CN_09	文件：589.38 Kbytes Page：14 Pages	256K (32K x 8) Static RAM 文件：589.38 Kbytes 页数：14 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C199CN_11	文件：399.46 Kbytes Page：18 Pages	256 K (32 K x 8) Static RAM 2.0 V data retention 文件：399.46 Kbytes 页数：18 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C199CN-12VC	文件：589.38 Kbytes Page：14 Pages	256K (32K x 8) Static RAM 文件：589.38 Kbytes 页数：14 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C199CN-12VI	文件：589.38 Kbytes Page：14 Pages	256K (32K x 8) Static RAM 文件：589.38 Kbytes 页数：14 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C199CN-12VXA	文件：589.38 Kbytes Page：14 Pages	256K (32K x 8) Static RAM 文件：589.38 Kbytes 页数：14 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C199CN-12VXI	文件：589.38 Kbytes Page：14 Pages	256K (32K x 8) Static RAM 文件：589.38 Kbytes 页数：14 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS

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技术参数

存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
256Kb （32K x 8）
写周期时间 - 字，页：
12ns
访问时间：
12ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
28-BSOJ(0.300\，7.62mm 宽）
供应商器件封装：
28-SOJ

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