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CY7C197N	文件：220.66 Kbytes Page：13 Pages	256 K 횞 1 Static RAM CMOS for optimum speed/power 文件：220.66 Kbytes 页数：13 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C197N_11	文件：220.66 Kbytes Page：13 Pages	256 K 횞 1 Static RAM CMOS for optimum speed/power 文件：220.66 Kbytes 页数：13 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C197N-25PXC	文件：220.66 Kbytes Page：13 Pages	256 K 횞 1 Static RAM CMOS for optimum speed/power 文件：220.66 Kbytes 页数：13 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C197BN-15VC	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC SRAM 256K PARALLEL 24SOJ	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C197BN-25PC	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC SRAM 256K PARALLEL 24DIP	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C197D-10VXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	256K (256K x 1) Static RAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C197BN-15VC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 24SOJ	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C197BN-25PC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 24DIP	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C197N-25PXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 24DIP	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS

技术参数

存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
256Kb （256K x 1）
写周期时间 - 字，页：
15ns
访问时间：
15ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
24-BSOJ（0.300\，7.62mm 宽）
供应商器件封装：
24-SOJ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宇集芯电子有限公司	CY7C197	CYPRESS	25+	DIP	90000	进口原装现货假一罚十价格合理	询价
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更多CY7C197供应商更新时间2026-4-17 15:35:00

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