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CY7C1620KV18-250BZXC

144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture

Functional Description The CY7C1618KV18, and CY7C1620KV18 are 1.8-V synchronous pipelined SRAM equipped with DDR II architecture. The DDR II consists of an SRAM core with advanced synchronous peripheral circuitry and a 1-bit burst counter. Addresses for read and write are latched on alternate ris

文件:753 Kbytes 页数:32 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1620KV18-250BZXC

144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture

文件:1.22023 Mbytes 页数:32 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1620KV18-250BZXC

DDR-II CIO

Infineon

英飞凌

CY7C1620KV18-250BZXC

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

产品属性

  • 产品编号:

    CY7C1620KV18-250BZXC

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,DDR II

  • 存储容量:

    144Mb(4M x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-LBGA

  • 供应商器件封装:

    165-FBGA(15x17)

  • 描述:

    IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA

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