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CY7C1612KV18	文件：894.86 Kbytes Page：33 Pages	144-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1625KV18, CY7C1612KV18, and CY7C1614KV18 are 1.8-V synchronous pipelined SRAMs, equipped with QDR II architecture. QDR II architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has dedicated data outpu 文件：894.86 Kbytes 页数：33 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1612KV18	文件：300 bytes Page：1 Pages	144-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1612KV18-250BZXI	文件：300 bytes Page：1 Pages	Synchronous SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1612KV18-300BZXI	文件：300 bytes Page：1 Pages	同步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1612KV18-250BZXI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1612KV18-300BZC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1612KV18-300BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

Density：
144 MBit
Peak Reflow Temp：
260 °C
Operating Temperature：
0 °C to 70 °C
Operating Voltage：
1.7 V to 1.9 V
Lead Ball Finish：
Sn/Ag/Cu
Interfaces：
Parallel
Data Width：
x 18
Architecture：
QDR-II
On-Die Termination：
N
Family：
QDR-II
Organization (X x Y)：
8Mb x 18
Burst Length(Words)：
2
Qualification：
Commercial
Read Latency (Cycles)：
1.5
Bank Switching：
N
Frequency：
250 MHz

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