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CY7C1568KV18	文件：834.67 Kbytes Page：28 Pages	72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1568KV18	文件：921.17 Kbytes Page：31 Pages	72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1568KV18-400BZC	文件：834.67 Kbytes Page：28 Pages	72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1568KV18-400BZC	文件：300 bytes Page：1 Pages	DDR-II+ CIO;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
CY7C1568KV18-400BZI	文件：834.67 Kbytes Page：28 Pages	72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1568KV18-400BZXC	文件：834.67 Kbytes Page：28 Pages	72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1568KV18-400BZXI	文件：921.17 Kbytes Page：31 Pages	72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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技术参数

合格汽车：
否
突发长度（字）：
2
密度 (Kb)：
73728
Density (Mb)：
72
频率 (MHz)：
400
最高工作温度 (°C)：
70
Max. Operating VCCQ (V)：
1.90
最高工作电压 (V)：
1.90
最低工作温度 (°C)：
0
Min. Operating VCCQ (V)：
1.40
最低工作电压 (V)：
1.70
组织 (X x Y)：
4Mb x 18
Part Family：
DDR-II+ CIO
Tape & Reel：
否
温度分类：
商用

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