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CY7C1526KV18	文件：300 bytes Page：1 Pages	72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture	Infineon 英飞凌	Infineon
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CY7C1526KV18-300BZC	文件：807.7 Kbytes Page：33 Pages	72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：807.7 Kbytes 页数：33 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1526KV18-300BZC	文件：831.85 Kbytes Page：31 Pages	72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：831.85 Kbytes 页数：31 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1526KV18-300BZI	文件：831.85 Kbytes Page：31 Pages	72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：831.85 Kbytes 页数：31 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1526KV18-300BZXC	文件：831.85 Kbytes Page：31 Pages	72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：831.85 Kbytes 页数：31 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

合格汽车：
否
突发长度（字）：
4
密度 (Kb)：
73728
Density (Mb)：
72
频率 (MHz)：
250
最高工作温度 (°C)：
70
Max. Operating VCCQ (V)：
1.90
最高工作电压 (V)：
1.90
最低工作温度 (°C)：
0
Min. Operating VCCQ (V)：
1.40
最低工作电压 (V)：
1.70
组织 (X x Y)：
8Mb x 9
Tape & Reel：
否
温度分类：
商用

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更多CY7C1526KV18供应商更新时间2025-10-11 16:31:00

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