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CY7C1513V18	文件：381.52 Kbytes Page：23 Pages	72-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：381.52 Kbytes 页数：23 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1513V18-167BZI	文件：464.77 Kbytes Page：28 Pages	72-Mbit QDR?? II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：464.77 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1513V18-167BZXI	文件：464.77 Kbytes Page：28 Pages	72-Mbit QDR?? II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：464.77 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1513V18-200BZC	文件：464.77 Kbytes Page：28 Pages	72-Mbit QDR?? II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：464.77 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1513V18-200BZC	文件：381.52 Kbytes Page：23 Pages	72-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：381.52 Kbytes 页数：23 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1513V18-200BZI	文件：464.77 Kbytes Page：28 Pages	72-Mbit QDR?? II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：464.77 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，QDR II
存储容量：
72Mb （4M x 18）
时钟频率：
200MHz
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
165-LBGA
供应商器件封装：
165-FBGA（15x17）

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更多CY7C1513V18供应商更新时间2025-10-11 16:31:00

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