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CY7C1425KV18-250BZXI

36-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture

文件:895.24 Kbytes 页数:33 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1425KV18-300BZC

36-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture

文件:895.24 Kbytes 页数:33 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1425KV18-300BZXC

36-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture

文件:895.24 Kbytes 页数:33 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1425KV18-333BZC

36-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture

文件:895.24 Kbytes 页数:33 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1425KV18-250BZI

Synchronous SRAM

Infineon

英飞凌

CY7C1425KV18-250BZXC

Synchronous SRAM

Infineon

英飞凌

CY7C1425KV18-250BZCT

Package:165-LBGA;包装:散装 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1425KV18-250BZI

Package:165-LBGA;包装:散装 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1425KV18-250BZXC

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

技术参数

  • 合格汽车:

  • 突发长度(字):

    2

  • 密度 (Kb):

    36864

  • Density (Mb):

    36

  • 频率 (MHz):

    250

  • 最高工作温度 (°C):

    70

  • Max. Operating VCCQ (V):

    1.90

  • 最高工作电压 (V):

    1.90

  • 最低工作温度 (°C):

    0

  • Min. Operating VCCQ (V):

    1.40

  • 最低工作电压 (V):

    1.70

  • 组织 (X x Y):

    4Mb x 9

  • Part Family:

    QDR-II

  • Tape & Reel:

  • 温度分类:

    商用

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CYPRESS
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FBGA-165(13x15)
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2021+
FBGA-165(13x15)
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更多CY7C1425KV18供应商 更新时间2025-12-10 13:57:00