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CY7C1423JV18-267BZXC	文件：678.55 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1423JV18-267BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA	Cypress Semiconductor Corp Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp
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产品属性

产品编号：
CY7C1423JV18-267BZXC
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，DDR II
存储容量：
36Mb（2M x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
165-LBGA
供应商器件封装：
165-FBGA（15x17）
描述：
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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