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CY7C1413AV18-300BZXI

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture

文件:1.17593 Mbytes 页数:28 Pages

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1413AV18-300BZXI

36-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture

文件:735.06 Kbytes 页数:31 Pages

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1413AV18-250BZC

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

Infineon

英飞凌

CY7C1413AV18-250BZCT

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

Infineon

英飞凌

CY7C1413AV18-250BZXC

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

Infineon

英飞凌

CY7C1413AV18-200BZI

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1413AV18-250BZC

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1413AV18-250BZCT

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

CYPRESSCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

技术参数

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,QDR II

  • 存储容量:

    36Mb (2M x 18)

  • 时钟频率:

    200MHz

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    165-LBGA

  • 供应商器件封装:

    165-FBGA(15x17)

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更多CY7C1413AV18供应商 更新时间2026-2-6 8:30:00