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CY7C1357C-100BZC	文件：497.29 Kbytes Page：32 Pages	9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture Functional Description[1] The CY7C1355C/CY7C1357C is a 3.3V, 256K x 36/512K x 18 Synchronous Flow-through Burst SRAM designed specifically to support unlimited true back-to-back Read/Write operations without the insertion of wait states. The CY7C1355C/CY7C1357C is equipped with the advanced No Bu 文件：497.29 Kbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1357C-100BZC	文件：504.58 Kbytes Page：28 Pages	9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM with NoBL??Architecture 文件：504.58 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1357C-100BZC	文件：795.58 Kbytes Page：32 Pages	9-Mbit (256 K x 36 / 512 K x 18) Flow-through SRAM with NoBL Architecture 文件：795.58 Kbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1357C-100BZC	文件：783.8 Kbytes Page：33 Pages	9-Mbit (256 K 횞 36 / 512 K 횞 18) Flow-Through SRAM with NoBL??Architecture 文件：783.8 Kbytes 页数：33 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1357C-100BZC	文件：300 bytes Page：1 Pages	Synchronous SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1357C-100BZC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：散装托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA	Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp

产品属性

产品编号：
CY7C1357C-100BZC
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
NoBL™
包装：
散装托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
9Mb（512K x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
165-LBGA
供应商器件封装：
165-FBGA（13x15）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA

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