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CY7C1315KV18-250BZXC

18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture

Functional Description The CY7C1311KV18, CY7C1911KV18, CY7C1313KV18, and CY7C1315KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II architecture. QDR II architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has dedica

文件:1.22429 Mbytes 页数:33 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1315KV18-250BZXC_12

18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture

文件:1.36522 Mbytes 页数:32 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1315KV18-250BZXC

Synchronous SRAM

Infineon

英飞凌

CY7C1315KV18-250BZXC

Package:165-LBGA;包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

产品属性

  • 产品编号:

    CY7C1315KV18-250BZXC

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,QDR II

  • 存储容量:

    18Mb(512K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-LBGA

  • 供应商器件封装:

    165-FBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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