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CY7C1315BV18-250BZC	文件：259.029 Kbytes Page：23 Pages	18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1311BV18, CY7C1911BV18, CY7C1313BV18, and CY7C1315BV18 are 1.8V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR™-II architecture. QDR-II architecture consists of two separate ports to access the memory array. The Read port has dedicated Data Outputs to support Read o 文件：259.029 Kbytes 页数：23 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1315BV18-250BZC	文件：505.82 Kbytes Page：28 Pages	18-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：505.82 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1315BV18-250BZXI	文件：505.82 Kbytes Page：28 Pages	18-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture 文件：505.82 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1315BV18-250BZC	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA	Infineon 英飞凌	Infineon
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产品属性

产品编号：
CY7C1315BV18-250BZC
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，QDR II
存储容量：
18Mb（512K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
165-LBGA
供应商器件封装：
165-FBGA（13x15）
描述：
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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