CY7C1313BV18-250BZC集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	CY7C1313BV18-250BZC
参数属性	CY7C1313BV18-250BZC 封装/外壳为165-LBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
功能描述	18-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
封装外壳	165-LBGA
文件大小	505.82 Kbytes
页面数量	28 页
生产厂商	Cypress Cypress Semiconductor
中文名称	赛普拉斯赛普拉斯半导体公司
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-10-31 10:24:00
人工找货	CY7C1313BV18-250BZC价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

CY7C1313BV18-250BZC规格书详情

CY7C1313BV18-250BZC属于集成电路（IC）的存储器。由赛普拉斯半导体公司制造生产的CY7C1313BV18-250BZC存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

产品编号：
CY7C1313BV18-250BZC
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，QDR II
存储容量：
18Mb（1M x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
165-LBGA
供应商器件封装：
165-FBGA（13x15）
描述：
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

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