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CY7C1313BV18-200BZC

18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture

Functional Description The CY7C1311BV18, CY7C1911BV18, CY7C1313BV18, and CY7C1315BV18 are 1.8V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR™-II architecture. QDR-II architecture consists of two separate ports to access the memory array. The Read port has dedicated Data Outputs to support Read o

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CY7C1313BV18-200BZC

18-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture

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CY7C1313BV18-200BZC

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Infineon

英飞凌

CY7C1313BV18-200BZC

Package:165-LBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

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产品属性

  • 产品编号:

    CY7C1313BV18-200BZC

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,QDR II

  • 存储容量:

    18Mb(1M x 18)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-LBGA

  • 供应商器件封装:

    165-FBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

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更多CY7C1313BV18-200B供应商 更新时间2026-7-27 17:38:00