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CY7C1294DV18-167BZXI	文件：993.68 Kbytes Page：23 Pages	9-Mbit QDR- II??SRAM 2-Word Burst Architecture 文件：993.68 Kbytes 页数：23 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1294DV18-200BZC	文件：993.68 Kbytes Page：23 Pages	9-Mbit QDR- II??SRAM 2-Word Burst Architecture 文件：993.68 Kbytes 页数：23 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1294DV18-200BZI	文件：993.68 Kbytes Page：23 Pages	9-Mbit QDR- II??SRAM 2-Word Burst Architecture 文件：993.68 Kbytes 页数：23 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1294DV18-200BZXC	文件：993.68 Kbytes Page：23 Pages	9-Mbit QDR- II??SRAM 2-Word Burst Architecture 文件：993.68 Kbytes 页数：23 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1294DV18-200BZXI	文件：993.68 Kbytes Page：23 Pages	9-Mbit QDR- II??SRAM 2-Word Burst Architecture 文件：993.68 Kbytes 页数：23 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1294DV18-250BZC	文件：993.68 Kbytes Page：23 Pages	9-Mbit QDR- II??SRAM 2-Word Burst Architecture 文件：993.68 Kbytes 页数：23 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，QDR II
存储容量：
9Mb （256K x 36）
时钟频率：
167MHz
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
165-LBGA
供应商器件封装：
165-FBGA（13x15）

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