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CY7C1270KV18	文件：919.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1270KV18	文件：871.04 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1270KV18-400BZC	文件：919.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1270KV18-400BZXC	文件：919.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1270KV18-400BZXI	文件：919.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1270KV18-550BZC	文件：919.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1270KV18-400BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：165-LBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP
CY7C1270KV18-400BZXI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：165-LBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP
CY7C1270KV18-550BZC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：165-LBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP

详细参数

型号：
CY7C1270KV18
功能描述：
静态随机存取存储器 36MB(1Mx36) 1.8v 400MHz DDR II 静态随机存取存储器
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CY7C1270KV18供应商更新时间2024-6-22 16:20:00

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