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CY7C1270KV18	文件：919.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1270KV18	文件：871.04 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1270KV18-400BZC	文件：919.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1270KV18-400BZXC	文件：919.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1270KV18-400BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	DDR-II+ CIO;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
CY7C1270KV18-400BZXI	文件：919.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1270KV18-550BZC	文件：919.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1270KV18-400BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA	ETC	ETC
CY7C1270KV18-400BZXI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA	ETC	ETC
CY7C1270KV18-550BZC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA	ETC	ETC

技术参数

合格汽车：
否
突发长度（字）：
2
密度 (Kb)：
36864
Density (Mb)：
36
频率 (MHz)：
400
最高工作温度 (°C)：
70
Max. Operating VCCQ (V)：
1.90
最高工作电压 (V)：
1.90
最低工作温度 (°C)：
0
Min. Operating VCCQ (V)：
1.40
最低工作电压 (V)：
1.70
组织 (X x Y)：
1Mb x 36
Part Family：
DDR-II+ CIO
Tape & Reel：
否
温度分类：
商用

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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