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CY7C1268V18-375BZI	文件：1.24727 Mbytes Page：27 Pages	36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1268V18-375BZXC	文件：1.24727 Mbytes Page：27 Pages	36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1268V18-375BZXI	文件：1.24727 Mbytes Page：27 Pages	36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1268V18-400BZC	文件：1.24727 Mbytes Page：27 Pages	36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1268V18-400BZI	文件：1.24727 Mbytes Page：27 Pages	36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1268V18-400BZXC	文件：1.24727 Mbytes Page：27 Pages	36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1268V18-400BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
CY7C1268V18-400BZXI	文件：1.24727 Mbytes Page：27 Pages	36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1268V18-400BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：管件管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA	Cypress Semiconductor Corp Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp

技术参数

存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，DDR II
存储容量：
36Mb （4M x 8）
时钟频率：
400MHz
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
165-LBGA
供应商器件封装：
165-FBGA（15x17）

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更多CY7C1268V18供应商更新时间2025-7-28 16:20:00

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