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CY7C1268KV18	文件：919.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) 文件：919.59 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1268KV18_12	文件：871.04 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) 文件：871.04 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1268KV18-400BZC	文件：919.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) 文件：919.59 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1268KV18-400BZXC	文件：919.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) 文件：919.59 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1268KV18-450BZXC	文件：919.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) 文件：919.59 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1268KV18-550BZXC	文件：919.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) 文件：919.59 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1268KV18-400BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1268KV18-550BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1268KV18-400BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA	Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp
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技术参数

合格汽车：
否
突发长度（字）：
2
密度 (Kb)：
36864
Density (Mb)：
36
频率 (MHz)：
400
最高工作温度 (°C)：
70
Max. Operating VCCQ (V)：
1.90
最高工作电压 (V)：
1.90
最低工作温度 (°C)：
0
Min. Operating VCCQ (V)：
1.40
最低工作电压 (V)：
1.70
组织 (X x Y)：
2Mb x 18
Part Family：
DDR-II+ CIO
Tape & Reel：
否
温度分类：
商用

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CY7C1268KV18供应商更新时间2025-10-6 10:21:00

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