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CY7C1265V18	文件：1.26283 Mbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1265V18-300BZC	文件：1.26283 Mbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1265V18-300BZI	文件：1.26283 Mbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1265V18-300BZXC	文件：1.26283 Mbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1265V18-300BZXI	文件：1.26283 Mbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1265V18-333BZC	文件：1.26283 Mbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1265V18-333BZI	文件：1.26283 Mbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1265V18-333BZXC	文件：1.26283 Mbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1265V18-333BZXI	文件：1.26283 Mbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1265V18-375BZC	文件：1.26283 Mbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，QDR II
存储容量：
36Mb （1M x 36）
时钟频率：
400MHz
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
165-LBGA
供应商器件封装：
165-FBGA（15x17）

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更多CY7C1265V18供应商更新时间2025-7-29 10:20:00

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