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CY7C1263V18	文件：1.26283 Mbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1263V18-375BZI	文件：1.26283 Mbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1263V18-400BZC	文件：1.26283 Mbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1263V18-400BZXC	文件：1.26283 Mbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1263V18-375BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件管件封装/外壳：165-LBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP
CY7C1263V18-400BZC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：165-LBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA	CYP Cypress Semiconductor Corp	CYP
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详细参数

型号：
CY7C1263V18
功能描述：
静态随机存取存储器 36M QDRII+
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CY7C1263V18供应商更新时间2024-9-24 10:20:00

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