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CY7C1263KV18-400BZC	文件：943.39 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR짰 II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1263KV18-400BZI	文件：943.39 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR짰 II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1263KV18-500BZXC	文件：943.39 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR짰 II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1263KV18-550BZI	文件：943.39 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR짰 II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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详细参数

型号：
CY7C1263KV18
功能描述：
静态随机存取存储器 36MB(2Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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