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CY7C1263KV18	文件：943.39 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR짰 II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) 文件：943.39 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1263KV18_12	文件：887.27 Kbytes Page：30 Pages	36-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) 文件：887.27 Kbytes 页数：30 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1263KV18-400BZC	文件：943.39 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR짰 II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) 文件：943.39 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1263KV18-400BZI	文件：943.39 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR짰 II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) 文件：943.39 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1263KV18-500BZXC	文件：943.39 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR짰 II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) 文件：943.39 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1263KV18-550BZI	文件：943.39 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit QDR짰 II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) 文件：943.39 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1263KV18-400BZI	文件：300 bytes Page：1 Pages	Synchronous SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1263KV18-400BZXI	文件：300 bytes Page：1 Pages	Synchronous SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1263KV18-550BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	Synchronous SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

合格汽车：
否
突发长度（字）：
4
密度 (Kb)：
36864
Density (Mb)：
36
频率 (MHz)：
400
最高工作温度 (°C)：
85
Max. Operating VCCQ (V)：
1.90
最高工作电压 (V)：
1.90
最低工作温度 (°C)：
-40
Min. Operating VCCQ (V)：
1.40
最低工作电压 (V)：
1.70
组织 (X x Y)：
2Mb x 18
Part Family：
QDR-II+
Tape & Reel：
否
温度分类：
工业

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