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CY7C1248KV18	文件：913.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) 文件：913.59 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1248KV18-400BZC	文件：913.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) 文件：913.59 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1248KV18-400BZXC	文件：913.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) 文件：913.59 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1248KV18-450BZXC	文件：913.59 Kbytes Page：28 Pages	36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) 文件：913.59 Kbytes 页数：28 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1248KV18-400BZC	文件：300 bytes Page：1 Pages	双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
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CY7C1248KV18-450BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1248KV18-400BZC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA	Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp
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技术参数

Density：
36 MBit
Peak Reflow Temp：
220 °C
Operating Temperature：
0 °C to 70 °C
Operating Voltage：
1.7 V to 1.9 V
Lead Ball Finish：
Sn/Pb
Interfaces：
Parallel
Data Width：
x 18
Architecture：
DDR-II+ CIO
On-Die Termination：
N
Family：
DDR-II+ CIO
Organization (X x Y)：
2Mb x 18
Burst Length(Words)：
2
Qualification：
Commercial
Read Latency (Cycles)：
2
Bank Switching：
N
Frequency：
400 MHz

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市斌腾达科技有限公司	CY7C1248KV18-450BZXC	Cypress Semiconductor Corp	21+	80-LBGA	5280	进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营	询价
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更多CY7C1248KV18供应商更新时间2025-10-12 10:21:00

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