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CY7C1170V18	文件：1.17894 Mbytes Page：27 Pages	18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1170V18-300BZI	文件：1.17894 Mbytes Page：27 Pages	18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1170V18-300BZXI	文件：1.17894 Mbytes Page：27 Pages	18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1170V18-333BZC	文件：1.17894 Mbytes Page：27 Pages	18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1170V18-333BZI	文件：1.17894 Mbytes Page：27 Pages	18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1170V18-333BZXC	文件：1.17894 Mbytes Page：27 Pages	18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1170V18-400BZC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA	Cypress Semiconductor Corp Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp

详细参数

型号：
CY7C1170V18
功能描述：
静态随机存取存储器 18M DDRII+, B2, 2.5
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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