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CY7C1165KV18	文件：881.23 Kbytes Page：29 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) 文件：881.23 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1165KV18-400BZC	文件：881.23 Kbytes Page：29 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) 文件：881.23 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1165KV18-400BZXC	文件：881.23 Kbytes Page：29 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) 文件：881.23 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1165KV18-550BZC	文件：881.23 Kbytes Page：29 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) 文件：881.23 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1165KV18-550BZXC	文件：881.23 Kbytes Page：29 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) 文件：881.23 Kbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1165KV18-400BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	同步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1165KV18-550BZC	文件：300 bytes Page：1 Pages	Synchronous SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
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CY7C1165KV18-400BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1165KV18-550BZC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

合格汽车：
否
突发长度（字）：
4
密度 (Kb)：
18432
Density (Mb)：
18
频率 (MHz)：
400
最高工作温度 (°C)：
70
Max. Operating VCCQ (V)：
1.90
最高工作电压 (V)：
1.90
最低工作温度 (°C)：
0
Min. Operating VCCQ (V)：
1.40
最低工作电压 (V)：
1.70
组织 (X x Y)：
512Kb x 36
Part Family：
QDR-II+
Tape & Reel：
否
温度分类：
商用

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