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CY7C11651KV18

18-Mbit QDR짰 II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

文件:881.73 Kbytes 页数:29 Pages

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C11651KV18-400BZXC

18-Mbit QDR짰 II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

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CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C11651KV18-400BZXC

IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Infineon

英飞凌

CY7C11651KV18-400BZC

Package:165-LBGA;包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C11651KV18-400BZXC

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

技术参数

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,QDR II+

  • 存储容量:

    18Mb (512K x 36)

  • 时钟频率:

    400MHz

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    165-LBGA

  • 供应商器件封装:

    165-FBGA(13x15)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Cypress
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更多CY7C11651KV18供应商 更新时间2025-12-22 16:20:00