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CY7C11481KV18

18-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C11481KV18-400BZC

18-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C11481KV18-400BZC

包装:托盘 封装/外壳:165-LBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

CYP

Cypress Semiconductor Corp

CY7C11481KV18-400BZXC

包装:管件 封装/外壳:165-LBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

CYP

Cypress Semiconductor Corp

详细参数

  • 型号:

    CY7C11481KV18

  • 功能描述:

    静态随机存取存储器 1Mb x 18 400 MHz Sync 静态随机存取存储器

  • RoHS:

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量:

    16 Mbit

  • 组织:

    1 M x 16

  • 访问时间:

    55 ns

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.2 V

  • 最大工作电流:

    22 uA

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    TSOP-48

  • 封装:

    Tray

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CypressSemiconductorCorp
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更多CY7C11481KV18供应商 更新时间2024-9-24 15:39:00