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CY7C109B-15VC	文件：380.75 Kbytes Page：10 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription[1] TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andtri-statedrivers.Writingto	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C109B-15VC	文件：196.52 Kbytes Page：12 Pages	128K x 8 Static RAM FunctionalDescription TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Writingto	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C109B-15VC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ	Cypress Semiconductor Corp Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp
CY7C109B-15VI	文件：196.52 Kbytes Page：12 Pages	128Kx8StaticRAM FunctionalDescription TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Writingto	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C109B-15VI	文件：380.75 Kbytes Page：10 Pages	128Kx8StaticRAM FunctionalDescription[1] TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andtri-statedrivers.Writingto	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C109B-15VXC	文件：380.75 Kbytes Page：10 Pages	128Kx8StaticRAM FunctionalDescription[1] TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andtri-statedrivers.Writingto	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C109B-15ZC	文件：380.75 Kbytes Page：10 Pages	128Kx8StaticRAM FunctionalDescription[1] TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andtri-statedrivers.Writingto	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C109B-15ZC	文件：196.52 Kbytes Page：12 Pages	128Kx8StaticRAM FunctionalDescription TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Writingto	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C109B-15ZI	文件：196.52 Kbytes Page：12 Pages	128Kx8StaticRAM FunctionalDescription TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Writingto	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C109B-15ZXC	文件：380.75 Kbytes Page：10 Pages	128Kx8StaticRAM FunctionalDescription[1] TheCY7C109B/CY7C1009Bisahigh-performanceCMOSstaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE1),anactiveHIGHChipEnable(CE2),anactiveLOWOutputEnable(OE),andtri-statedrivers.Writingto	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

产品属性

产品编号：
CY7C109B-15VC
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
32-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

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